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IRF3205PBF  与  IPP084N06L3 G  区别

型号 IRF3205PBF IPP084N06L3 G
唯样编号 A-IRF3205PBF A-IPP084N06L3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 8 mOhm 146 nC 200 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@62A,10V 8.4mΩ
上升时间 - 26ns
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 79W
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 37ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 110A 50A
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V -
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 15ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3205PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 1,000 当前型号
STP80NF55-08 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥7.711 

阶梯数 价格
7: ¥7.711
100: ¥6.523
220 对比
STP80NF55-08 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP100N06S2L05AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP084N06L3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP084N06L3GXKSA1_10mm

暂无价格 0 对比
STP80NF55-08 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

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